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LGM100HF120S2F1A
具有正温度系数的VCEsat 低开关损耗 低电感外壳 采用DBC技术的隔离铜基板了解 +LGM100HF120S2F1A
IGBT
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TGAN60N65F2DS
TGAN60N65F2DS绝缘栅双极晶体管是由TRinno的第二代场截止效应工艺制成的。650V，开关损耗低，适用于多种温度范围，可在175℃下工作，易于并联操作，符合ROHS标准，并已获得JEDEC资格认证。该产品可用于UPS、电焊机、逆变器、太阳能等领域。了解 +TGAN60N65F2DS
IGBT
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G5S12020BM
正温度系数，便于并联使用。与温度无关的开关特性。高工作温度为175℃。零反向恢复电流。零正向恢复电压。应用：开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）。电机驱动、光伏逆变器、不间断电源、风力发电机、列车牵引系统、电动汽车。了解 +G5S12020BM
SBD
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SD8666QS
SD8666QS 是用于开关电源的内置高压功率 MOSFET、外置采样电阻 的准谐振电流模式 PWM+PFM 控制器。 SD8666QS 具有多重模式控制：在重载下，高压时工作在 QR 模式，可以减小开关损耗，低压时工作固定频率（65KHz）的 CCM 模式。在中载 和轻载下，工作在 QR+PFM 模式，可以提高转换效率。在空载下，进入打 嗝模式，有效地降低电路的待机功耗。了解 +SD8666QS
Controler
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